РусскийEnglish

Поиск новых  кристаллических материалов, исследование свойств и процессов кристаллизации

Главная

Исследования

Сотрудники

Аспиранты. Кандидатские диссертации.

Публикации

Проекты

Контакты

 

 

    Поиск и исследование свойств новых кристаллических материалов проводятся на физическом факультете МГУ начиная с 1964 г. Область интересов группы связана с перспективными многофункциональными материалами с особыми физическими свойствами: сегнетоэлектрическими, проводящими, нелинейными оптическими, лазерными, пьезоэлектрическими и др. При этом решается фундаментальная проблема взаимосвязи состава, структуры и свойств.

    В лаборатории было синтезировано и изучено более 200 различных оксидных материалов, среди них 3 семейства сегнетоэлектриков (гексагональные вольфрамовые бронзы, дефектный пирохлор, семейство KTiOPO4), высокотемпературный сверхпроводник YBa2Cu3Ox, кислородные проводники семейства LAMOX, смешаннослойные и обычные фазы Ауривиллиуса и другие. Многие соединения в нашей лаборатории были получены и исследованы впервые.

     В настоящее время группа занимается поиском и исследованием новых кристаллических материалов с высокой ионной проводимостью для новой энергетики, главным образом, проводимостью по кислороду.

    Начиная с 1981 г. в лаборатории проводятся интенсивные исследования по изучению процессов кристаллизации. Новая интерферометрическая техника была впервые использована для измерения морфологии поверхности растущих в растворе граней кристаллов с целью проверки теории слоистого роста кристаллов. Были определены главные параметры, определяющие рост кристаллов. Применение атомно-силовой микроскопии при исследовании растущих кристаллов лизоцима впервые позволило увидеть изломы на ступенях элементарной высоты. Обнаружены и объяснены отклонения от закона Гиббса-Томсона при росте кристаллов.
Была разработана методика быстрого роста кристаллов из водных растворов.

     Длительное время лаборатория занимается выращиванием и исследованием свойств кристаллов ниобата лития LiNbO3 с периодической доменной структурой. Эти кристаллы находят все большее применение для квазисинхронного преобразования частоты лазерного излучения, в том числе в терагерцевом диапазоне. Кристаллы удается получать с протяженными эквидистантными ростовыми слоями, на которых спонтанная поляризация меняет знак.